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J-GLOBAL ID：200902232547538820   整理番号：05A0535155

スタティック ランダム アクセス メモリ(SRAM)の静的ノイズ マージンについてのイントリンシック ドーパントのゆらぎの影響を再検証

Re-Examination of Impact of Intrinsic Dopant Fluctuations on Static RAM (SRAM) Static Noise Margin

著者 (2件)： TACHIBANA Fumihiko (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 4B  ページ： 2147-2151  発行年： 2005年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スタティック ランダム アクセス メモリ(SRAM)の静的ノ...

シソーラス用語： *SRAM ,...

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• 1) R. W. Keyes: Appl. Phys. 8 (1975) 251.
• 2) T. Mizuno, J. Okamura and A. Toriumi: Symp. VLSI Tech. Dig. (1993) p. 41.
• 3) Y. Yasuda, M. Takamiya and T. Hiramoto: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000) 1838.
• 4) A. Asenov, G. Slavcheva, A. R. Brown, J. H. Davies and S. Saini: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 722.
• 5) A. J. Bhavnagarwala, X. Tang and J. D. Meindl: IEEE J. Solid-State Circuits 36 (2001) 658.

タイトルに関連する用語 (5件)： SRAM ,  ノイズ ,  ドーパント ,  ゆらぎ ,  検証