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J-GLOBAL ID：200902234812210877   整理番号：09A0533983

円偏光照射によるキラルポリジアセチレンの形成とそのキラリティーに対する基板温度の効果

著者 (5件)： 金英輝 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  篠竜徳 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  大嶋優記 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2009  号： エレクトロニクス2  ページ： 164  発行年： 2009年03月04日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光学異性 ,  分子構造 ,  *ポリジアセチレン ,  円偏光 ,  照射 ,  電子技術 ,  側鎖 ,  温度依存性 ,  薄膜 ,  *薄膜成長 ,  キラリティ ,  有機エレクトロニクス
準シソーラス用語： *キラルポリジアセチレン ,  円偏光照射

分類 (3件)： その他の高分子の反応  (CG03040H) ,  気体燃料の性質,組成,分析,試験  (YE02020U) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 円偏光 ,  キラリティー ,  基板温度