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J-GLOBAL ID：200902235696145058   整理番号：08A0741058

有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性~時間分解SHイメージングによる直接観測~

Electrode metal dependence of carrier behavior in organic FET-direct observation of carrier using TRM-SHG-

著者 (6件)： 間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  中尾元春 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  WEIS Martin (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LIU Fei (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 112(OME2008 32-42)  ページ： 59-64  発行年： 2008年06月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,有機トランジスタ(OFET)の新規評価法として光第2次高調波発生法(SHG)を提案し,有機FETにおけるチャネル形成や,顕微分光による素子中の電界分布計測について検討してきた。また,このSHG測定に時間分解分光計測と高感度冷却CCDによるイメージングを組み合わせることで,キャリアがFET素子中を流れる様子を画像化して捉えることに成功した。観測されたSHG像では,ホール注入条件においてSHGの発光位置が時間を追うごとに電極から離れていく様子を捉えられている。これは,注入されたホールがキャリアシートとなり,チャネル中を拡がっている様子を反映したものである。実際には,本研究で用いている電界誘起SHGは材料中の電場によって誘起されるため,素子中の電界分布の時間的変化を捉えているに他ならない。今回,電極金属の異なるFETに対して,この手法を適用することで,電極の違いがキャリアの注入と輸送に及ぼす影響について検討した。結果,ペンタセンへの注入障壁が大きいと考えられる銀電極を用いた素子において,定常状態でも電極端でSHGが消失せず,電極における電位ドロップの存在を確認することができた。一方,電荷の輸送過程は電極金属によらないことが明らかになった。有機FETでは,電荷の注入,蓄積および輸送という三つの重要な過程がその動作を支配する。本手法を用いることで,これらの過程を同時に分離評価できることが示された。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  第二高調波発生 ,  時間分解分光法 ,  キャリア移動度 ,  可視化 ,  電位分布 ,  *キャリア注入 ,  ポテンシャル障壁 ,  *ソース【半導体】 ,  チャネル ,  *ドレイン【半導体】 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 有機FET ,  SHG【高調波】 ,  OFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機FET ,  キャリア ,  挙動 ,  依存性 ,  分解 ,  イメージング ,  観測