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J-GLOBAL ID：200902236027403684   整理番号：08A0154411

液中プラズマ化学蒸着法によるSiC薄膜の生成

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著者 (5件)：
土岡達也

土岡達也 について

(愛媛大 大学院)

愛媛大 大学院 について

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豊田洋通

豊田洋通 について

(愛媛大)

愛媛大 について

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野村信福

野村信福 について

(愛媛大)

愛媛大 について

, 
高橋学

高橋学 について

(愛媛大)

愛媛大 について

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大成啓介

大成啓介 について

(住友化学)

住友化学 について


資料名：
日本材料学会四国支部総会学術講演会講演論文集

日本材料学会四国支部総会学術講演会講演論文集 について


巻： 8th-6th  ページ： 19-20  発行年： 2007年 
JST資料番号： L5884A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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けい素基板

けい素基板 について


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分類 (1件)：
分類
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その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

その他の無機化合物の薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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液中プラズマ

液中プラズマ について

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化学蒸着法

化学蒸着法 について

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SiC

SiC について

, 
薄膜

薄膜 について


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