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J-GLOBAL ID：200902237815648414   整理番号：04A0877406

新規193nm用フォトレジスト材料の開発

著者 (7件)： 福原敏明 (東京工大 大学院) ,  芝崎祐二 (東京工大 大学院) ,  安藤慎治 (東京工大 大学院) ,  上田充 (東京工大 大学院) ,  岸村真二 (松下電器産業) ,  遠藤政孝 (松下電器産業) ,  笹子勝 (松下電器産業)
資料名： 高分子学会予稿集(CD-ROM)  (高分子学会討論会予稿集(CD-ROM))
巻： 53  号： 1  ページ： IPD126  発行年： 2004年05月10日 
JST資料番号： Z0703C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *フォトレジスト ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (2件)： N-(1-アダマンチル)エテンスルホンアミド ,  メタクリル酸2-メチル-2-アダマンチル

タイトルに関連する用語 (2件)： フォトレジスト ,  開発