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J-GLOBAL ID：200902238287051393   整理番号：08A1008881

オゾンを用いた環境にやさしいレジスト除去

著者 (2件)： 堀邊英夫 (金沢工大 バイオ・化) ,  堀邊英夫 (金沢工大 ものづくり研)
資料名： オゾン技術に関する講習会講演要旨
巻： 26th  ページ： 25-30  発行年： 2008年09月29日 
JST資料番号： L6185A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイス製造過程のレジスト除去工程に,湿潤オゾンを用いる方法について検討した。この方法はオゾンとレジストの反応で生成した酸化物を加水分解させてカルボン酸に変え,次工程で大量の水に溶解させるものである。湿潤オゾンガス(水温62°C),基板温度58°C,オゾン照射時間5秒,ギャップ長1.3mmの条件において3.4μmのレジスト除去速度が得られ,従来の薬液を用いた方法と同等の速度でレジストを除去できた。またイオン注入されたレジストについても,その除去が可能であった。

シソーラス用語： *レジスト ,  *除去 ,  *オゾン処理 ,  酸化物 ,  加水分解 ,  カルボン酸 ,  イオン注入
準シソーラス用語： 除去速度 ,  半導体デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： オゾン ,  環境 ,  レジスト