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J-GLOBAL ID：200902243757068500   整理番号：09A1004058

電場変調分光法によるMIS構造内の蓄積キャリアの評価

著者 (5件)： 宮沢亮 (東京工大 理工) ,  田口大 (東京工大 理工) ,  WEIS Martin (東京工大 理工) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1223  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *ポリヘキシルチオフェン ,  ポリイミド ,  金 ,  スペクトロスコピー ,  界面 ,  光吸収 ,  透過率 ,  ポーラロン ,  FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *キャリア注入 ,  電気光学効果 ,  吸光度 ,  電荷変調分光法
準シソーラス用語： *P3HT ,  有機FET

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電場 ,  変調分光法 ,  MIS構造 ,  蓄積 ,  キャリア ,  評価