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J-GLOBAL ID：200902245246683349   整理番号：08A0440997

電界誘起SHG測定によるペンタセンFETの電界評価

著者 (5件)： 中尾元春 (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  田村亮祐 (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1406  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *分極 ,  *薄膜 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： SHG【高調波】 ,  *有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 電界 ,  誘起 ,  SHG ,  ペンタセン ,  FET ,  評価