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J-GLOBAL ID：200902246120497210   整理番号：08A0461069

光学的手法による有機エレクトロニクスデバイスの新しい評価手法の確立

著者 (4件)： 岩本光正 (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院) ,  田村亮祐 (東京工大 大学院)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 88th  号： 1  ページ： 97  発行年： 2008年03月12日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 誘電体物理を出発点として有機FET内の電気現象を扱うことにより,その動作についてより深く理解できる。そのためには,FET内に形成される電界に着目することが重要である。筆者らは,電界誘起光第2次高調波(EFISHG)法によって有機FET内の電界分布やキャリヤの挙動を評価する新しい方法を提案した。講演では,この手法について,原理およびこれまでの結果を総括する。(著者抄録)

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電位分布 ,  キャリア密度 ,  性能評価 ,  キャリア注入 ,  *第二高調波発生 ,  *性能試験
準シソーラス用語： *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 光学 ,  手法 ,  有機エレクトロニクスデバイス ,  評価手法