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J-GLOBAL ID：200902247917521791   整理番号：09A0767122

AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的性質における不動態皮膜の応力影響の数値解析

Numerical analysis of impact of stress in passivation films on electrical properties in AlGaN/GaN heterostructures

著者 (2件)： SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp.) ,  SUGITANI Suehiro (NTT Photonics Laboratories, Nippon Telegraph and Telephone Corp.)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 6  号： 14  ページ： 1045-1050 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)AlGaN/GaN Schottkyダイオードの電気的性質におけるSchottky接触及び不動態皮膜間機械的応力の差による力の影響を,エッジフォースモデルのフレームワークで数値解析した。圧縮(引張り)不動態皮膜が,GaNチャネルのSchottky接触の下に負(正)圧電電荷を誘導した。そして浅い(深い)バイアス電圧で二次元電子ガス濃度のフォースオンセットをもたらした。±0.5GPa・μmのエッジフォースによるオンセットでのバイアス電圧の変化は,0.5μm Schottky接触のダイオードに対し1または2Vであった。これにより,設計した応力の不動態皮膜が,AlGaN/GaN HEMTの閾値電圧制御に重大な役割を果たすことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  電気的性質 ,  *数値解析 ,  *不動態皮膜 ,  *膜応力 ,  Schottky障壁ダイオード ,  HEMT ,  *ヘテロ接合 ,  ヘテロ構造 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (10件)：

• [1] Y. Uemoto, M. Hikita, H. Ueno, H. Matsuo, H. Ishida, M. Yanagihara, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, “Gate Injection Transistor (GIT)--A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation, ”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 12, pp. 3393-3399, Dec. 2007.
• [2] T. Oka and T. Nozawa, “AlGaN/GaN Recessed MIS-Gate HFET With High-Threshold-Voltage Normally-Off Operation for Power Electronics Applications, ” IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 7, pp. 668-670, July 2008.
• [3] T. Mizutani, M. Ito, S. Kishimoto, and F. Nakamura, “AlGaN/GaN HEMTs with Thin InGaN Cap Layer for Normally Off Operation, ”IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 7, pp. 549-551, July 2007.
• [4] M. Hiroki, N. Maeda, and T. Kobayashi, “Electrical properties and device characteristics of InAlN/AlGaN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors, ” Physica Status Solidi (c), vol. 6, no. 52, pp. S1056-S1060, June 2009.
• [5] T. Onodera and H. Nishi, “Theoretical Study of the Piezoelectric Effect on GaAs MESFET's on (100), (011), and (${\\bar 1}{\\bar 1}{\\bar 1}$)Ga, and (111)As Substrates, ”IEEE Trans. Electron Devices, vol. 36, no. 9, pp. 1580-1585, Sept. 1989.

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電気的性質 ,  不動態皮膜 ,  応力 ,  数値解析