ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ

UEMOTO Yasuhiro; HIKITA Masahiro; UENO Hiroaki; MATSUO Hisayoshi; ISHIDA Hidetoshi; YANAGIHARA Manabu; UEDA Tetsuzo; TANAKA Tsuyoshi; UEDA Daisuke

文献

J-GLOBAL ID：200902266486578299 整理番号：07A1231164

ゲート注入トランジスタ(GIT)-伝導度変調を利用する常時オフAlGaN/GaN電力トランジスタ

Gate Injection Transistor (GIT)-A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation

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資料名：
巻： 54 号： 12 ページ： 3393-3399 発行年： 2007年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

これまで報告されているAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果ト...

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トランジスタ

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