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J-GLOBAL ID：200902250455528591   整理番号：08A0943657

アドオン型厚膜配線を形成したMOSFETの信頼性

著者 (9件)： 下山展弘 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  下山展弘 (島根大 大学院総合理工学研究科) ,  石井仁 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  佐藤昇男 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  小野一善 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  阪田知巳 (NTT マイクロシステムインテグレーション研) ,  工藤和久 (NTTアドバンステクノロジ) ,  町田克之 (NTTアドバンステクノロジ) ,  土屋敏章 (島根大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 2  ページ： 724  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *信頼性 ,  *配線 ,  金 ,  めっき ,  厚膜 ,  *膜応力 ,  引張応力 ,  ホットキャリア ,  相互コンダクタンス ,  耐用年数 ,  寿命試験

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： アドオン ,  厚膜 ,  MOSFET