研究者
J-GLOBAL ID:200901003946598060   更新日: 2024年01月24日

土屋 敏章

ツチヤ トシアキ | Tsuchiya Toshiaki
所属機関・部署:
職名: 客員教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (1件):
  • 島根大学  名誉教授
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件): 電子デバイス工学 ,  Electron Devices
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 2014 - 2016 単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開
  • 2010 - 2012 ナノCMOSデバイスの界面物性揺らぎ評価技術の開発とRTNの機構解明に関する研究
  • 2006 - 2009 ナノスケールデバイスにおける界面物性揺らぎと雑音に関する研究
  • Study on High Performance and High Hot-Carrier-Immunity TFTs
  • Study on Device Physics and Modeling of Ultra-Thin-Film CMOS/SOI Devices
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論文 (27件):
MISC (100件):
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特許 (4件):
  • MOS thin film transistor and method of fabricating the same
  • Mothod of fabricating semiconductor device with protective film
  • Semiconductor device and method of fabricating the same
  • Semiconductor memory device
書籍 (7件):
  • Noise in Nanoscale Semiconductor Devices
    Springer Nature 2020
  • Siデバイス・プロセス技術の開発史 : 極限追及と実用化 = Development of silicon device and process technologies : History of challenge to Ultimate structures and applications to communication networks
    日本電信電話先端集積デバイス研究所,サイバー出版センター 2017 ISBN:9784908520129
  • Fully-Depleted SOI CMOS Circuits and Technology for Ultralow-Power Applications
    Springer 2006 ISBN:0387292179
  • SOI CMOSデバイスの基礎と応用
    (株)リアライズ社 1999
  • Principles and Applications of SOI CMOS Devices
    REALIZE INC. 1999
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講演・口頭発表等 (125件):
  • 微細MOSデバイスとの対話を通じた過去と将来
    (IEEE広島支部功績賞特別講演会 2016)
  • 電子捕獲放出過程における界面トラップ間の相互作用
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • ホットキャリアストレス誘起のRTNと発生した酸化膜トラップの評価
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • 界面トラップ数の真の値とばらつき,および従来のチャージポンピング理論による値との比較
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • Characterization of Individual Si/SiO2 Interface Traps: Direct Observation of Single Pb0 Centers by the Charge Pumping (CP) Method and Correction of the Conventional CP Theory
    (The 228th Electrochemical Society Meeting, the Symp. on ULSI Process Integration 9 2015)
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Works (11件):
  • Study on reliability of submicron-TFTs
    2005 -
  • Study on high-performance thin-film transistors
    2003 - 2004
  • Study on TFT characteristics degradation
    2003 - 2004
  • Study on 3-D nano SOI-MOS-devices
    2004 -
  • Analysis of MOS transistors influenced by MEMS process
    2004 -
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学位 (1件):
  • 工学博士 (早稲田大学)
経歴 (4件):
  • 2017/04 - 現在 静岡大学 電子工学研究所 特任教授
  • 1998/04 - 2017/03 島根大学 総合理工学研究科 教授
  • 1976/04 - 1998/03 NTT電気通信研究所
  • 1983/11 - 1984/10 コーネル大学 客員研究員
委員歴 (12件):
  • 2016 - 2016 応用物理学会中国四国支部 貢献賞選考委員会
  • 2001 - 2016 応用物理学会中国四国支部 支部役員
  • 2011 - 2014 応用物理学会 諮問委員(旧評議員)
  • 2010 - 2011 応用物理学会 理事
  • 2008/04 - 2010/03 島根大学 教育研究評議会評議員
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受賞 (4件):
  • 2016/09 - 応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞
  • 2014/01 - STARC STARC共同研究賞
  • 2012/09 - 応用物理学会 応用物理学会フェロー
  • 2002/01 - IEEE IEEEフェロー
所属学会 (3件):
応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics. ,  IEEE
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