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J-GLOBAL ID：200902251017134862   整理番号：08A1106267

ディジタル中心のRF CMOS技術

Digital-Centric RF CMOS Technologies

著者 (1件)： MATSUZAWA Akira (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E91-C  号： 11  ページ： 1720-1725  発行年： 2008年11月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アナログ中心RF-CMOS技術は従来個別素子やバイポーラIC技術からCMOS技術への技術転換動機付けで重要な役割を果たした。これは粗末な性能やPVT変動への感性,テクノロジスケーリングによるコスト増など多くの問題を持込むが,従来RF技術に比べ,CMOS技術の最重要な長所は,超低コストでより高性能ディジタル回路を使えることにある。実際に,アナログ中心RF-CMOS技術はFM/AMチューナビジネスに失敗したが,ディジタル中心CMOS技術は多数顧客にとって魅力となり,高性能,無外部校正点,高歩留まり,低コストなど多くの長所がある。上記事実から,ディジタル技術の長所を活用するディジタル中心CMOS技術は今後のRF技術の適切な道でだろう。この技術の更なる調査がRF技術の進歩にとって必要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ディジタル集積回路 ,  *CMOS構造 ,  レビュー ,  同調器 ,  位相同期ループ ,  周波数混合 ,  電気回路 ,  LSI【IC】 ,  高周波回路 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： RF回路

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (9件)：

• MATSUZAWA, A. RF-SoC-Expectations and required conditions. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2002, 50, 1, 245-253
• MATSUZAWA, A. Mixed signal SoC era. IEICE Trans. Electron., C. 2004, E87, 6, 867-877
• MATSUZAWA, A. Analog IC technologies for future wireless systems. IEICE Trans. Electron., C. 2006, E89, 4, 446-454
• STASZEWSKI, R. B. All-digital TX frequency synthesizer and discrete-time receiver for blue-tooth radio in 130-nm CMOS. IEEE J. Solid-State Circuits. 2004, 39, 12, 2278-2291
• STASZEWSKI, R. B. Digitally controlled oscillator (DCO)-based architecture for RF frequency synthesis in a deep-submicrometer CMOS process. IEEE Trans. Circuits Syst. II, Analog Digit. Signal Process. 2003, 50, 11, 815-828

タイトルに関連する用語 (3件)： ディジタル ,  RF ,  CMOS技術