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J-GLOBAL ID：200902251022832420   整理番号：07A0376343

Si上高品質III/V族化合物半導体薄膜形成に向けたMOVPEバッファ層の初期成長過程観察

著者 (8件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  出浦桃子 (東大 先端科学技研セ) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大) ,  菅原聡 (東京工大) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  高木信一 (東大) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 1  ページ： 365  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： OMVPE ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  高品質 ,  化合物半導体 ,  薄膜形成 ,  MOVPE ,  バッファ層 ,  初期 ,  成長過程 ,  観察