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J-GLOBAL ID：200902251474075294   整理番号：05A0019649

ケルビンプローブ法およびSHG法によるAlq₃蒸着膜の巨大表面電位の評価

Investigation of giant surface potential builtup across the Alq₃ films on a metal electrode by Kelvin probe and second-harmonic generation

著者 (3件)： 梶本典史 (東京工大) ,  間中孝彰 (東京工大) ,  岩本光正 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 453(OME2004 92-102)  ページ： 29-33  発行年： 2004年11月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Alq₃(Tris(8-quinoli...

シソーラス用語： アルミニウム錯体 ,...
準シソーラス用語： SHG【高調波】 ,...

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分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム

引用文献 (10件)：

• ITOH, E. J. Appl. Phys. 1998, 83, 372
• SESSER, G. M. Electrets. 1987
• ITO, E. J. Appl. Phys. 2002, 92, 7306
• CURIONI, A. Chem. Phys. lett. 1998, 294, 263
• CURRY, R. J. J. Appl. Phys. 2002, 92, 1902

タイトルに関連する用語 (5件)： ケルビンプローブ ,  SHG ,  蒸着膜 ,  表面電位 ,  評価