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J-GLOBAL ID：200902252301415002   整理番号：08A0440944

交流電界下の有機EL現象を利用したFET構造素子中の電荷注入観測

著者 (5件)： 大嶋優記 (東京工大 大学院) ,  金英輝 (東京工大 大学院) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1388  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *FET【トランジスタ】 ,  キャリア注入 ,  *有機半導体 ,  半導体薄膜 ,  ニトロソ化合物 ,  多窒素化合物 ,  *有機EL素子
準シソーラス用語： 電荷注入

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： テトラセン

タイトルに関連する用語 (8件)： 交流 ,  電界 ,  有機EL ,  現象 ,  FET ,  構造素子 ,  電荷注入 ,  観測