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J-GLOBAL ID：200902252375096405   整理番号：09A0713429

酸化膜厚変動と局所ゲート空乏がMOSFETの閾値電圧変動に及ぼす影響

Impact of Oxide Thickness Fluctuation and Local Gate Depletion on Threshold Voltage Variation in Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (7件)： TAMSIR PUTRA Arifin (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TSUNOMURA Takaaki (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  NISHIDA Akio (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  KAMOHARA Shiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Kiyoshi (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (MIRAI-Selete, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 6,Issue 1  ページ： 064504.1-064504.5  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの酸化膜厚変動(OTF)と局所ゲート空乏(LSG)により生じた閾値電圧の変化を古典的三次元ドリフト拡散シミュレーションにより調べた。OTFとLSGのモデルは透過型電子顕微鏡(TEM)観察に基づく。OTFはSiO₂/Si界面の不規則な粗さ階段により,LSGは多結晶珪素ゲート中の結晶粒の不規則な大きさと位置により発生させた。両モデルが閾値電圧変動及びその分布に及ぼす影響を調べ,測定データと比較した。Takeuchi係数(B_VT)を用いて閾値電圧変動を解析した。OTFとLSGは閾値電圧変動に影響し,その影響はB_VT値,B_VTのN_aとT_invへの依存性,閾値電圧分布の観点からは小さかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化膜 ,  膜厚 ,  ゲート【半導体】 ,  *電圧 ,  ドリフト ,  計算機シミュレーション ,  透過型電子顕微鏡 ,  ポリシリコン ,  *MOSFET ,  二酸化ケイ素 ,  半導体材料 ,  電子顕微鏡観察 ,  *閾値電圧 ,  *化成皮膜 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  多結晶珪素

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• T. Mizuno, J. Okamura, and A. Toriumi: IEEE Trans. Electron Devices 41(1994) 2216.
• A. Asenov: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998) 2505.
• P. A. Stolk and D. B. M. Klaasen: IEDM Tech. Dig., 1996, p.627.
• M. Hane, T. Ikezawa, and T. Ezaki: IEDM Tech. Dig., 2003, p.241.
• P. Oldiges, Q. Lin, K. Pertillo, M. Sanchez, M. Leong, and M. Hargrove: Int. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2000, p.131.

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化 ,  膜厚変動 ,  ゲート ,  MOSFET ,  閾値電圧