サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ  三次元の“原子論的”シミュレーション研究

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文献

J-GLOBAL ID：200902106918270889 整理番号：99A0126519

サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ三次元の“原子論的”シミュレーション研究

Random Dopant Induced Threshold Voltage Lowering and Fluctuations in Sub-0.1μm MOSFET’s: A 3-D “Atomistic” Simulation Study.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 45 号： 12 ページ： 2505-2513 発行年： 1998年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

始めて個々のドーパント水準を下げるランダムドーパント効果の組...

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サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ 三次元の“原子論的”シミュレーション研究

サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ三次元の“原子論的”シミュレーション研究