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J-GLOBAL ID:200902106918270889   整理番号:99A0126519

サブ0.1μMOSFET’sにおけるランダムドーパント誘起によるしきい値電圧低下及びゆらぎ 三次元の“原子論的”シミュレーション研究

Random Dopant Induced Threshold Voltage Lowering and Fluctuations in Sub-0.1μm MOSFET’s: A 3-D “Atomistic” Simulation Study.
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巻: 45  号: 12  ページ: 2505-2513  発行年: 1998年12月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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始めて個々のドーパント水準を下げるランダムドーパント効果の組...
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