文献

J-GLOBAL ID：200902254285299121   整理番号：09A0426139

変位電流法によるP(VDF-TeFE)ゲート絶縁膜を持つペンタセンFETの解析

著者 (7件)： 吉田周平 (東京工大 大学院) ,  田村亮祐 (東京工大 大学院) ,  田口大 (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  WEIS Martin (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1380  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  高分子薄膜 ,  化合物 ,  自発分極 ,  電荷 ,  ポリアセン ,  *ゲート絶縁膜 ,  変位電流
準シソーラス用語： *有機FET ,  *VDF-TeFE

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 変位電流 ,  VDF ,  ゲート絶縁膜 ,  ペンタセン ,  FET ,  解析