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J-GLOBAL ID：200902254413174655   整理番号：08A0944859

顕微時間分解SHG測定による強誘電性ゲート絶縁膜を用いたペンタセンFETの評価

著者 (6件)： 田村亮祐 (東京工大 大学院) ,  吉田周平 (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  WEISS Martin (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 3  ページ： 1189  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *第二高調波発生 ,  強誘電性 ,  *ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *自発分極 ,  キャリア注入 ,  ポリフッ化ビニリデン ,  ポリテトラフルオロエチレン ,  共重合体 ,  帯電 ,  *ポリアセン ,  時間分解法 ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： 有機トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 分解 ,  SHG ,  強誘電性 ,  ゲート絶縁膜 ,  ペンタセン ,  FET ,  評価