文献

J-GLOBAL ID：200902256261459929   整理番号：08A0565502

超細線チャンネル珪素単一電子トランジスタと単一正孔トランジスタの負性微分コンダクタンスの起源

On the Origin of Negative Differential Conductance in Ultranarrow-Wire-Channel Silicon Single-Electron and Single-Hole Transistors

著者 (3件)： KOBAYASHI Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAJI Kousuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 3 Issue 1  ページ： 1813-1817  発行年： 2008年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共通超細線チャンネルを有する単一電子トランジスタ(SET)と単一正孔トランジスタ(SHT)の負性微分コンダクタンスの起源を電気的静電容量結合効果に重点を置いて調べた。先ずn型/p型共通超細線チャンネルMOSFETを用いてCoulombブロッケード振動を室温で観測した。電子及び正孔の両キャリアに対して,超微細珪素量子ドットと高いトンネリング障壁を超線チャンネル中に形成できることが分かった。量子ドット中の大きな量子閉込めに起因した明確な負性微分コンダクタンスを反対バイアス条件下のSETとSHTの両方で観測した。トンネリング障壁を通した珪素量子ドットと電極の間の電気静電容量結合はSETとSHTの両方の負性微分コンダクタンスの発生を制御できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単一電子トランジスタ ,  *負性抵抗 ,  ナノワイヤ ,  Coulombブロッケード ,  MOSFET ,  *量子ドット ,  量子閉込め ,  静電容量 ,  コンダクタンス ,  *負性微分抵抗 ,  極細線
準シソーラス用語： 超細線

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (23件)：

• Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima. S. Horiguchi, K. Murase, and M. Tabe: Electron. Lett.31(1995)136.
• H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguchi, T. Hiramoto, and T. Ikoma: Appl. Phys. Lett.68(1996)3585.
• L. Zhuang, L. Guo, and S. Y. Chou: Appl. Phys. Lett.72(1998)1205.
• K. Uchida, J. Koga, R. Ohba, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 863.
• M. Saitoh and T. Hiramoto: Appl. Phys. Lett.84(2004)3172.

タイトルに関連する用語 (7件)： 超細線 ,  チャンネル ,  珪素 ,  単一電子トランジスタ ,  単一正孔トランジスタ ,  微分コンダクタンス ,  起源