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J-GLOBAL ID：200902260636974173   整理番号：06A0150598

DCストレス印加時の有機FET特性に関する研究

Organic Field Effect Transistor characteristics under applying DC bias stress

著者 (5件)： 川上大介 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  森野芳昭 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  安武裕輔 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  西沢秀之 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  真島豊 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105  号： 576(OME2005 101-111)  ページ： 31-35  発行年： 2006年01月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機FETにおいてはゲート電圧掃引などの履歴により,FET特...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： 有機FET ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (10件)：

• NELSON, S. F. Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 1854
• KAWASE, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 3649
• FUJISAKI, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 3728
• WANG, Yu-Wu. Thin Solid Films. 2004, 467, 215
• YANAGISAWA, H. Thin Solid Films. 2004, 464, 398

タイトルに関連する用語 (5件)： DC ,  ストレス ,  印加 ,  有機FET ,  研究