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J-GLOBAL ID：200902261074937888   整理番号：08A0440483

MOVPE法によるInGaAs/InAlAs FACQWの作製と位相変調特性評価

著者 (8件)： 長谷川亮 (横浜国大 大学院) ,  雨宮智宏 (東大 先端科学技研セ) ,  荒川太郎 (横浜国大 大学院) ,  種村拓夫 (東大 先端科学技研セ) ,  清水大雅 (東京農工大 工) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  多田邦雄 (金沢工大 大学院) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1233  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *位相変調 ,  素子構造 ,  電圧依存性 ,  気相成長 ,  化合物半導体 ,  *光変調素子 ,  ヒ化インジウムアルミニウム
準シソーラス用語： *光変調器 ,  有機金属気相成長法

分類 (1件)： 光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOVPE ,  InGaAs ,  InAlAs ,  作製 ,  位相変調 ,  特性評価