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J-GLOBAL ID：200902261751780842   整理番号：08A0425162

VO₂/TiO₂界面の電子状態

著者 (9件)： 村岡祐治 (岡山大 大学院) ,  村岡祐治 (JST-CREST) ,  佐伯邦成 (岡山大 大学院) ,  江口律子 (理研) ,  辛埴 (理研) ,  横谷尚睦 (岡山大 大学院) ,  横谷尚睦 (JST-CREST) ,  仙波泰徳 (JASRI) ,  大橋治彦 (JASRI)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 2  ページ： 638  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  誘電体薄膜 ,  *金属-絶縁体転移 ,  エピタクシー ,  レーザ蒸着 ,  酸化チタン ,  基板 ,  *紫外線照射 ,  キャリア生成 ,  *キャリア注入 ,  光電子スペクトル ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  *界面 ,  *電子状態 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *二酸化チタン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： VO2 ,  TiO2 ,  界面 ,  電子状態