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J-GLOBAL ID：200902266823535270   整理番号：05A0250661

有機FETの有機/金属ナノ界面における帯電現象の評価と界面処理による制御

Investigation of the interfacial electrostatic phenomena and its modification by the surface treatment

著者 (4件)： 間中孝彰 (東京工大) ,  田村亮祐 (東京工大) ,  LIM E (東京工大) ,  岩本光正 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 641(OME2004 119-131)  ページ： 47-50  発行年： 2005年01月21日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機FET材料としてしばしば用いられているペンタセンの金属基...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： SHG【高調波】

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機FET ,  ナノ界面 ,  帯電 ,  現象 ,  評価 ,  界面