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J-GLOBAL ID：200902268617155774   整理番号：09A1194029

原子層堆積Al₂O₃ゲート誘電体を用いたInAsチャネル金属-酸化物-半導体HEMT(高電子移動度トランジスタ)

InAs-Channel Metal-Oxide-Semiconductor HEMTs with Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃ Gate Dielectric

著者 (5件)： CHANG Chia-Yuan (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chung Li, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  TRINH Hai-Dang (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 12  号： 12  ページ： H456-H459  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネルにInAsを,ゲート誘電体に原子層蒸着Al₂O₃を用いてn型金属-酸化物-半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)を作製し,その特性をAl₂O₃層の無いデバイスと比較した。Al₂O₃層厚は3,5,7nmである。Al₂O₃層を用いることでゲート漏れ電流は1~3桁減少し,最大トランスコンダクタンス及びドレイン電流(@0.7V)は26%程度減少した。雑音指数(@20~60GHz)は無Al₂O₃デバイスと同レベルであったが,雑音指数に関連した利得は2dBほど低かった。3nm厚デバイスの遮断周波数は0.3Vで185GHz,0.7Vで265GHzであり,Al₂O₃層の無いデバイスと比べてそれほど劣化しなかった。

シソーラス用語： *HEMT ,  *NMOS構造 ,  *酸化アルミニウム ,  酸化膜 ,  化学蒸着 ,  ヒ化インジウム ,  チャネル ,  漏れ電流 ,  雑音指数 ,  相互コンダクタンス ,  遮断周波数 ,  電流電圧特性 ,  ゲート絶縁膜 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  原子層蒸着 ,  トランスコンダクタンス ,  ドレイン電流 ,  電流利得

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  InAs ,  チャネル ,  酸化物 ,  HEMT ,  高電子移動度トランジスタ