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J-GLOBAL ID:200902268809803524   整理番号:08A0950909

表面活性化接合によるSi導波路磁気光学光アイソレータの製作

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巻: 2008  号: エレクトロニクスソサイエティ 2  ページ: SS.29-SS.30  発行年: 2008年09月02日 
JST資料番号: G0508A  ISSN: 1349-1369  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Siを高屈折率な光導波路コアとして用いることで微小光回路の形成が可能であることや,LSIの発達した加工技術・量産性により低コストで製造可能であること,電子デバイスと光デバイスの集積化を容易に実現し得ることなど,Siフォトニクスの利点が注目を集めている。Siフォトニクスにおける光素子の研究動向を概観すると,受動素子については,Si導波路コアへの強い光閉じ込め効果を利用した曲率半径数μmオーダーの微小曲げ導波路による光配線,合分岐や干渉導波路の形成に重要な役割を果たす分岐結合素子をはじめ,リング共振器やラティスフィルタ,アレイ導波路格子(AWG)などの波長合分波素子,可変合分波特性を有するアド・ドロップ合分波素子など,多くの機能素子が報告されている。一方,能動素子については,カリフォルニア大学とインテルの研究グループによるIII-V族化合物半導体のSi導波路上へのハイブリッド集積や,Si導波路での40Gbps高速光変調器,Si導波路中の高い光パワー密度を利用した四光波混合(FWM)による波長変換など,活発な研究開発がなされている。このようにSi光回路のいっそうの高機能化・高性能化をはかる場合,光回路中で不要反射光の発生が問題になると予想される。これに対する解決策として,光アイソレータに代表される光非相反素子の実現が重要な鍵を握る。我々は,Si導波路を用いた干渉型光アイソレータを提案し,その検討を進めてきた。この素子は直接接合技術によって,磁気光学効果を有する磁気光学ガーネット(CeY)3Fe5O12(Ce:YIG)を上クラッド層としてSi導波路上に接合することで実現される。今回,酸素プラズマを用いた表面活性化接合を用いることでSi導波路上にCe:YIGを直接接合することに成功し,良好な光アイソレータ動作を得た。本稿では,これらの成果を中心に報告する。(著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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ジャイレータ,アイソレータ,サーキュレータ  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学 

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