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J-GLOBAL ID：200902270997150898   整理番号：07A0376344

Si基板上へのInGaAsの成長におけるInPバッファーの有効性

著者 (7件)： 星井拓也 (東大 大学院) ,  出浦桃子 (東大 大学院) ,  七条真人 (東大 大学院) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  菅原聡 (東京工大 理工) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ) ,  高木信一 (東大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 1  ページ： 365  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： Si基板 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  InGaAs ,  成長 ,  InP ,  バッファー ,  有効性