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J-GLOBAL ID：200902271164028769   整理番号：09A0426154

ペンタセンFETキャリア注入特性に及ぼす空間電荷電界の検討

著者 (5件)： 中尾元春 (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  WEIS Martin (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1385  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  高分子薄膜 ,  *キャリア注入 ,  *接触抵抗 ,  Schottky障壁 ,  *空間電荷 ,  *第二高調波発生 ,  ポリアセン ,  膜厚依存性 ,  *時間分解法
準シソーラス用語： *有機FET ,  寄生抵抗 ,  *SHG【高調波】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-金属接触  (BM03084G) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  非線形光学  (BD05000T)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ペンタセン ,  FET ,  キャリア注入 ,  空間電荷 ,  電界