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J-GLOBAL ID：200902274604394389   整理番号：05A0605985

ボディー-ファクターが可変である完全空乏型シリコン-オン-インシュレータ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスターの短チャンネル特性

Short-Channel Characteristics of Variable-Body-Factor Fully-Depleted Silicon-On-Insulator Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistors

著者 (3件)： OHTOU Tetsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAGUMO Toshiharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 6A  ページ： 3885-3888  発行年： 2005年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 以前に提唱したボディー-ファクターが可変である完全空乏型シリ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (9件)：

• 1) T. Kuroda, T. Fujita, S. Mita, T. Nagamatsu, S. Yoshida, K. Suzuki, F. Sano, M. Norishima, M. Murota, M. Kako, M. Kinugawa, M. Kakumu and T. Sakurai: IEEE J. Solid-State Circuits 31 (1996) 1770.
• 2) T. Hiramoto, M. Takamiya, H. Koura, T. Inukai, H. Gomyo, H. Kawaguchi and T. Sakurai: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 2854.
• 3) H. Koura, M. Takamiya and T. Hiramoto: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 2312.
• 4) T. Kachi, T. Kaga, S. Wakahara and D. Hisamoto: Symp. VLSI Tech. Dig. 1996, p. 124.
• 5) I. Y. Yang, C. Vieri, A. Chandrakasan and D. A. Antoniadis: IEEE Trans. Electron Devices 44 (1997) 822.

タイトルに関連する用語 (6件)： ファクター ,  シリコン ,  インシュレータ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスター ,  短チャンネル