n<sup>+</sup>-GaN IDTを有するGaNのSAW特性

NISHIMURA K.; SHIGEKAWA N.; YOKOYAMA H.; HOHKAWA K.

文献

J-GLOBAL ID：200902274703112247 整理番号：06A0060959

n⁺-GaN IDTを有するGaNのSAW特性

SAW characteristics of GaN with n⁺-GaN IDTs

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資料名：
巻： 42 号： 1 ページ： 62-63 発行年： 2006年01月05日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

エピタキシャル成長した窒素を用いた半導体から構成される弾性表...

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弾性表面波デバイス , フィルタ一般

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