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J-GLOBAL ID：200902275153560472   整理番号：09A0733722

大気圧プラズマによるダメージフリープラズマCVD:垂直配向単層カーボンナノチューブ合成メカニズム

Damage-free plasma enhanced CVD: growth mechanism of vertically-aligned single-walled carbon nanotubes in atmospheric pressure non-equilibrium plasma

著者 (3件)： 唐津拓也 (東京工大 大学院) ,  岡崎健 (東京工大) ,  野崎智洋 (東京工大)
資料名： 日本伝熱シンポジウム講演論文集(CD-ROM)
巻： 46th  ページ： ROMBUNNO.F-1305  発行年： 2009年 
JST資料番号： F0872D  ISSN： 1346-1532  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 従来の減圧プラズマCVDによるCNTsの合成では,カーボンナノファイバーや欠陥を多く含むMWCNTsしか合成できなかった。しかし,大気圧環境(100kPa)で非平衡プラズマを形成することで,垂直配向したSWCNTsを高純度で合成することに成功した。触媒をはじめとする合成条件を一定にしたまま微減圧すると(20kPa),SWCNTsが全てMWCNTsへと転換することがわかった。減圧環境では触媒毒となる活性種が生成され,CNT成長初期にSWCNTs/MWCNTsのいずれかの成長モードが決定される。(著者抄録)

シソーラス用語： *単層カーボンナノチューブ ,  *プラズマCVD ,  *大気プラズマ ,  触媒毒 ,  分子配向 ,  Ramanスペクトル ,  光学顕微鏡 ,  垂直配向
準シソーラス用語： *大気圧プラズマ

分類 (2件)： 大気・天体プラズマ  (BJ02020M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大気圧プラズマ ,  ダメージ ,  プラズマCVD ,  垂直配向 ,  単層カーボンナノチューブ ,  メカニズム