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J-GLOBAL ID：200902275876097568   整理番号：09A1004047

電場誘起光第2次高調波発生(EFISHG)法による有機EL素子の過渡電界分布評価

著者 (5件)： 田口大 (東京工大 理工) ,  長田憲司朗 (東京工大 理工) ,  WEIS M. (東京工大 理工) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1219  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  キャリア注入 ,  *過渡応答 ,  電場効果 ,  *第二高調波発生 ,  MSM構造 ,  *エレクトロルミネセンス ,  電界分布 ,  *有機EL素子

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  非線形光学  (BD05000T)

物質索引 (2件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム ,  α-NPD

タイトルに関連する用語 (7件)： 電場 ,  誘起 ,  2次高調波発生 ,  法 ,  有機EL素子 ,  電界分布 ,  評価