室温で作動するシリコンの単正孔トランジスタにおける強い温度依存性を持つCoulombブロッケード振動

文献

J-GLOBAL ID：200902277228664093 整理番号：06A0693622

Large Temperature Dependence of Coulomb Blockade Oscillations in Room-Temperature-Operating Silicon Single-Hole Transistor

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巻： 45 号： 8A ページ： 6157-6161 発行年： 2006年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

山-谷電流比(PVCR)の大きい,室温で作動するシリコンの単...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

引用文献 (20件)：

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