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J-GLOBAL ID：200902277500096199   整理番号：08A0321480

ゲート埋込み技術を用いるIn_0.7Ga_0.3As/InAs/In_0.7Ga_0.3As複合チャネルHEMTのRFおよび論理動作性能の向上

RF and Logic Performance Improvement of In_0.7Ga_0.3As/InAs/In_0.7Ga_0.3As Composite-Channel HEMT Using Gate-Sinking Technology

著者 (9件)： KUO Chien-I (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chung-Li, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chia-Yuan (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  DATTA Suman (Intel Corp., OR, USA) ,  RADOSAVLJEVIC Marko (Intel Corp., OR, USA) ,  HUANG Guo-Wei (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  LEE Ching-Ting (National Cheng-Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 4  ページ： 290-293  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最新の無線通信にとって,InP系HEMTは優れた電子輸送特性と高い飽和速度に大きな魅力がもたれ,優れた高周波特性が評価されている。本報告は,Schottky接触金属としてPt埋込みゲートを用いて製作した80nmゲートIn_0.7Ga_0.3As/InAs/In_0.7Ga_0.3As複合チャネルHEMTについて,そのRFおよび論理動作を性能評価した。そして,製作したHEMTデバイスのゲート埋込み後の性能向上がデバイスの相互コンダクタンスG_mの増大とキャパシタンスの低減によってもたらされることを明らかにした。このHEMT技術によれば,きわめて簡単なゲート縮小プロセスを用いて最適エピタクシー構造をつくり,高周波,高速,低消費電力の優れた論理集積回路が実現できる。

シソーラス用語： *HEMT ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  半導体材料 ,  白金 ,  埋込み【挿入】 ,  ゲート【半導体】 ,  *素子構造 ,  電流電圧特性 ,  相互コンダクタンス ,  半導体集積回路 ,  Schottky障壁 ,  エピタクシー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  埋込み ,  InAs ,  チャネル ,  HEMT ,  RF ,  論理 ,  動作性能