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J-GLOBAL ID：200902278265608701   整理番号：08A0549017

ダイアモンド状炭素膜の初期成長に対する基板の影響

Influence of Substrates on Initial Growth of Diamond-Like Carbon Films

著者 (4件)： YASUI Nobuto (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  YASUI Nobuto (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  INABA Hiroshi (Hitachi, Ltd., Yokohama, JPN) ,  OHTAKE Naoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 3  ページ： 035002.1-035002.3  発行年： 2008年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィルター陰極真空アークによって作製したダイアモンド状炭素(DLC)の結合状態に対する基板材料の影響を,X線光電子分光と2次イオン質量分光法によって調べた。二種類の下地材料,SiとNiFeを評価した。NiFe上のDLC膜のsp³比率がSiに比べて約10%低いことが分かった。これはDLC膜に対するNeとFeの拡散がsp³結合形成を邪魔することを意味する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ダイヤモンド状炭素 ,  *DLC膜 ,  成長 ,  *基板 ,  フィルタ ,  カソード ,  真空アーク ,  X線光電子分光法 ,  二次イオン質量分析 ,  ケイ素 ,  ニッケル合金 ,  鉄含有合金 ,  固体内拡散 ,  化学結合

分類 (2件)： 薄膜一般  (BK14010X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• ROBERTSON, J. Mater. Sci. Eng. R. 2002, 37, 129
• SHI, X. J. Appl. Phys. 1996, 79, 7234
• INABA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 2824
• YASUI, N. e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 2006, 4, 129
• MEREL, P. Appl. Surf. Sci. 1998, 136, 105

タイトルに関連する用語 (2件)： ダイアモンド状炭素 ,  初期成長