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J-GLOBAL ID：200902279208775053   整理番号：09A0201313

窒素をドーピングした水素化無定形炭素皮膜の電界放出特性への皮膜構造の影響

Effect of film structure on field emission properties of nitrogen doped hydrogenated amorphous carbon films

著者 (3件)： AKASAKA Hiroki (Dep. of Materials Sci. and Technol., Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka-machi, Nagaoka-shi, Niigata ...) ,  YAMADA Takatoshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., 1-1-1 Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN) ,  OHTAKE Naoto (Dep. of Materials, Physics and Energy Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Aichi 464-8603, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 18  号： 2-3  ページ： 423-425  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,窒素をドーピングしたa-C:H(a-C:N:H)皮膜の結合構造が,電気特性と放電特性に及ぼす影響を調べた。窒素をドーピングしたa-C:H(a-C:N:H)皮膜の結合構造は,アセトニトリルとメタン混合物を使用する成長で制御した。a-C:N:H皮膜中の窒素原子は,C≡NやN-Hなどの末端構造に組み込まれた。a-C:N:H皮膜の電流-電圧測定値によると,電気伝導率は,軽く窒素をドーピングした皮膜で高くなった。軽く窒素をドーピングした皮膜は,重く窒素をドーピングした皮膜より,低い敷居電界放電電圧を示した。この研究で観察された挙動は,窒素原子は電子供与体として機能していないことを示している。この結果は,導入された窒素は電子供与体として作用しないのは,窒素原子がC≡NとN-Hの末端構造に含まれているからである,と解釈できる。高性能電界放出を達成する膜の電子構造を設計するためには,ドーピング種だけでなく,ドーピング系のキャラクタリゼーションが必要である。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガラス状炭素 ,  ドーパント ,  窒素 ,  薄膜 ,  製膜 ,  プラズマCVD ,  *電界放出 ,  電圧依存性 ,  電流密度 ,  濃度依存性 ,  化学結合

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  ドーピング ,  水素化 ,  無定形炭素 ,  皮膜 ,  電界放出