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J-GLOBAL ID：200902279958055630   整理番号：07A0478828

歪Si nチャネルMOSFETのゲート電流におよぼす伸長歪の効果

Effect of Tensile Strain on Gate Current of Strained-Si n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

著者 (3件)： HOSHII Takuya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUGAHARA Satoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKAGI Shin-ichi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 4B  ページ： 2122-2126  発行年： 2007年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪Si nチャネルMOSFETのゲート電流におよぼす伸長歪の...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• S. Takagi, T. Mizuno, T. Tezuka, N. Sugiyama, T. Numata, K. Usuda, Y. Moriyama, S. Nakaharai, J. Koga, A. Tanabe, N. Hirashita, and T. Maeda: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 57.
• W. Zhao, A. Seabaugh, V. Adams, D. Jovanovic, and B. Winstead: IEEE Electron Device Lett.26(2005)410.
• M. Lenzlinger and E. H. Show: J. Appl. Phys.40(1969)278.
• S. Takagi, M. Takayanagi, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 1999. p. 461.
• E. Rosenbaum and L. F. Register: IEEE Trans. Electron Devices 44(1997)317.

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  Si ,  nチャネルMOSFET ,  ゲート電流