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J-GLOBAL ID：200902280588882270   整理番号：09A0249603

AlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタに及ぼすSiN_x堆積法の効果の比較研究

A comparative study of effects of SiN_x deposition method on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

著者 (9件)： HIGASHIWAKI Masataka (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  CHEN Zhen (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  CHU Rongming (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  PEI Yi (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  KELLER Stacia (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  HIROSE Nobumitsu (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 5  ページ： 053513  発行年： 2009年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタに及ぼす薄いSiN_x堆積の効果を,その電気的及び素子的特性を比較することにより系統的に研究した。SiN_x薄膜堆積の二つの側面を研究した:1)ヘテロ界面における2D電子ガス(2DEG)密度及び2)ゲート絶縁体層としてのその能力。三つの異なるSiN_x堆積法を研究した:触媒化学蒸着(Cat-CVD),有機金属化学蒸着(MOCVD),及びプラズマ化学蒸着(PECVD)。2DEG密度の大きな増大が,すべての方法に関して,SiN_x堆積後に得られた。MOCVD SiN_xゲート絶縁体の素子は,Cat-CVD及びPECVD SiN_xのものより大きなゲート漏れ電流を示した。このことは,AlGaN表面障壁の薄化が,高温MOCVDプロセス中のAlGaN障壁へのSi拡散により起こることを意味した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *窒化ケイ素 ,  二次元電子ガス ,  化学蒸着 ,  MOCVD ,  プラズマCVD ,  漏れ電流 ,  障壁 ,  *ゲート絶縁膜 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  触媒化学蒸着 ,  有機金属化学蒸着

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  電界効果トランジスタ ,  堆積 ,  研究