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J-GLOBAL ID：200902281407356129   整理番号：09A0610869

大気圧プラズマと表面処理 大気圧プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ合成

著者 (1件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 60  号： 6  ページ： 380-384  発行年： 2009年06月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気圧RFプラズマ(13.56MHz)CVDによる単層のカーボンナノチューブ(CNT)の合成について説明した。従来の減圧プラズマCVDではプラズマ-基板界面に形成するシース中で加速されたイオンの衝撃により触媒粒子あるいはCNTが損傷を受けるため,高品質の単層CNTを得ることは困難であった。大気圧プラズマでは圧力が高いため,イオンの平均自由行程(1μm程度)はシース厚み(約860μm)と比較して極めて短いため,高エネルギーイオンによる基板への衝撃は抑制される。基板温度700°C,He/H₂/CH₄混合ガスを用いてSi基板上に反応時間5分でCNTの合成を行った。Ramanスペクトル測定によると単層CNTに特徴的なスペクトルピークが観測された。大気圧プラズマCVDによる単層CNT合成の機構について検討した。

シソーラス用語： *大気プラズマ ,  *プラズマCVD ,  *照射損傷 ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *プラズマさや ,  イオン照射 ,  金属触媒 ,  触媒失活 ,  水素 ,  Ramanスペクトル ,  *微細構造 ,  RF放電 ,  平均自由行程 ,  アルカン
準シソーラス用語： 大気圧プラズマ

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： メタン

引用文献 (16件)：

• 1) U. Kogelschatz1 ; Plasma Chemistry and Plasma Processing, 23, 1 (2003).
• 2) S. Kanazawa, M. Kogoma, T. Moriwaki and S. Okazaki ; J. Phys. D : Appl. Phys., 21, 838 (1988).
• 3) T. Nozaki, Y. Kimura and K. Okazaki ; J. Phys. D : Appl. Phys., 35, 2779 (2002).
• 4) T. Nozaki, T. Goto, K. Okazaki, K. Ohnishi, L. Mangolini, J. Heberlein and U. Kortshagen ; J Appl. Phys., 99, 024310/1 (2006).
• 5) T. Nozaki, K. Ohnishi, K. Okazaki and U. Kortshagen ; Carbon, 45, 364 (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： 大気圧プラズマ ,  表面処理 ,  CVD ,  単層カーボンナノチューブ