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J-GLOBAL ID：200902282233801060   整理番号：06A0746444

半導体ゲルマニウムにイオンインプラントしたホウ素のNMR

著者 (9件)： 泉川卓司 (新潟大 RIセ) ,  篠島大亮 (新潟大 大学院) ,  高橋慎太郎 (新潟大 大学院) ,  三原基嗣 (大阪大 大学院) ,  松多健策 (大阪大 大学院) ,  福田光順 (大阪大 大学院) ,  大坪隆 (新潟大 大学院) ,  大矢進 (新潟大 大学院) ,  南園忠則 (福井工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 1  ページ： 385  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物のNMR  (BM07043Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲルマニウム ,  ホウ素 ,  NMR