超低消費電力および低雑音増幅器への応用を目的とした埋め込み型ゲートを備えたInAsを基本とする高電子移動度トランジスタ

KUO Chien-I; HSU Heng-Tung; CHANG Edward Yi; MIYAMOTO Yasuyuki; TSERN Wen-Chung

文献

J-GLOBAL ID：200902282881222997 整理番号：08A0996296

超低消費電力および低雑音増幅器への応用を目的とした埋め込み型ゲートを備えたInAsを基本とする高電子移動度トランジスタ

InAs High Electron Mobility Transistors with Buried Gate for Ultralow-Power-Consumption Low-Noise Amplifier Application

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資料名：
巻： 47 号： 9 Issue 1 ページ： 7119-7121 発行年： 2008年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

超低消費電力および低雑音増幅器への応用を目的として,ゲートの埋め込み技術を用いたInAs/In_0.7Ga_0.3Asの複合チャンネルを持つ高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。作製した素子の0.5Vのドレイン電圧の下におけるトランスコンダクタンスは1900mS/mmという非常に大きい値を持つことが分かった。また,素子の飽和ドレイン-ソース電流は1066mA/mmであることが分かった。ドレインのバイアス電圧がV_ds=0.1Vの場合における電流ゲインのカットオフ周波数(f_T)は113GHzで,最高発振周波数(f_max)は110GHzであることが分かった。大きさが0.08×40μm²の素子を,17GHzで作動させた場合におけるDC消費電力は1.14mW,最小雑音指数は0.82dB,そして付随ゲインは14dBであることが分かった。(翻訳著者抄録)

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トランジスタ

引用文献 (10件)：

J. B. Boos, W. Kruppa, B. R. Bennett, D. Park, S. W. Kirchoefer, R. Bass, and H. B. Dietrich: IEEE Trans. Electron Devices 45(1998)1869.
K. Shinohara, P. S. Chen, J. Bergman, H. Hazemi, B. Brar, I. Watanabe, T. Matsui, Y. Yamashita, A. Endoh, K. Hikosaka, T. Mimura, and S. Hiyamizu: Proc. IEEE Microwave Symp., Dig., 2006, p. 337.
K.-S. Seo and D.-H. Kim: Proc.18th Int. Conf. InP and Related Materials, 2006, p. 30.
R. Chau, S. Datta, and A. Majumdar: IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symp., 2005, p. 17.
Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, T. Mimura, and S. Hiyamizu: IEEE Electron Device Lett.23(2002)573.

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