文献

J-GLOBAL ID：200902285477485606   整理番号：09A0458574

超低電力 低雑音増幅器応用のためのInAs-チャンネル高電子移動度トランジスタ

InAs-Channel High-Electron-Mobility Transistors for Ultralow-Power Low Noise Amplifier Applications

著者 (4件)： CHANG Chia-Yuan (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chungli, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao-Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C094.1-04C094.3  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電力 低雑音アンプ(LNA)応用のためのゲート長 80nmのInAs-チャンネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)を2インチのInP基板上に製作,評価した。InAs-チャンネルHEMT上で,0.2Vの低ドレーン-ソース電圧で実行した小信号S-パラメータ測定は優れたfT 120GHzとfmax 157GHzを示した。直流電力消費1.2mWの非常に低いレベルで,装置は,0.8dB未満の雑音指数で,12GHzで9.7dBの関連利得を示した。超低dc電力消費の他のInGaAs-チャンネル HEMTよりこの装置は,より高い関連利得と低い雑音指数を示した。これらの結果は,超低電力宇宙レーダ,移動ミリ波通信と携帯型撮影装置応用のためにInAs-チャンネルHEMT技術の卓越した可能性を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  リン化インジウム ,  基板 ,  増幅器 ,  低雑音増幅器 ,  *ヒ化インジウム ,  消費電力 ,  利得 ,  レーダ ,  ミリ波通信

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• S. Fiedler and B. Preiss: IEEE Aerospace Applications Conf., 1996, Vol.4, p. 77.
• W. R. Deal, R. Tsai, M. D. Lange, J. B. Boos, B. R. Bennett, and A. Gutierrez: IEEE Microwave Wireless Components Lett.15(2005)208.
• J. B. Hacker, J. Bergman, G. Nagy, G. Sullivan, C. Kadow, H.-K. Lin, A. C. Gossard, M. Rodwell, and B. Brar: IEEE Microwave Wireless Components Lett.14(2004)156.
• Y. Yamashita, A. Endoh, K. Shinohara, K. Hikosaka, and T. Matsui: IEEE Electron Device Lett.23(2002)573.
• C. R. Bolognesi: Proc.14th Int. Conf. IPRM, 2002, p. 55.

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電力 ,  低雑音増幅器 ,  応用 ,  チャンネル ,  高電子移動度トランジスタ