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J-GLOBAL ID：200902290233157244   整理番号：09A1003453

InAs薄膜からの高強度テラヘルツ波放射における膜厚依存性

著者 (7件)： 海野伸弥 (大工大 ナノ材研) ,  石橋祐太郎 (大工大 ナノ材研) ,  竹家啓 (阪大 レーザー研) ,  前元利彦 (大工大 ナノ材研) ,  佐々誠彦 (大工大 ナノ材研) ,  井上正崇 (大工大 ナノ材研) ,  斗内政吉 (阪大 レーザー研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1018  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *ヒ化インジウム ,  化合物半導体 ,  *電磁波 ,  *放射強度 ,  膜厚 ,  空間依存性 ,  *MBE成長 ,  基板 ,  アンチモン化ガリウム ,  ヘテロ接合 ,  *パルスレーザ照射 ,  フェムト秒 ,  *テラヘルツ波

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  薄膜 ,  高強度 ,  テラヘルツ波放射 ,  膜厚依存性