[100]および[110]方向に沿ったチャンネルを有するシリコン単一電子トランジスタの室温における大きなCoulombブロッケード振動と負の微分コンダクタンス

KOBAYASHI Masaharu; HIRAMOTO Toshiro

文献

J-GLOBAL ID：200902292425054409 整理番号：07A0255375

[100]および[110]方向に沿ったチャンネルを有するシリコン単一電子トランジスタの室温における大きなCoulombブロッケード振動と負の微分コンダクタンス

Large Coulomb-Blockade Oscillations and Negative Differential Conductance in Silicon Single-Electron Transistors with [100]- and [110]-Directed Channels at Room Temperature

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資料名：
巻： 46 号： 1 ページ： 24-27 発行年： 2007年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

[100]および[110]方向に沿った非常に狭いワイヤーチャ...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

引用文献 (18件)：

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K. Uchida, J. Koga, R. Ohba, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2000, p863.
M. Saitoh and T. Hiramoto: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 758.

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