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J-GLOBAL ID：200902293057297440   整理番号：03A0432437

スパッタリング法により作製したSi薄膜中へのリチウムイオンの挿入反応

著者 (6件)： 西川雄高 (甲南大) ,  町田信也 (甲南大) ,  重松利彦 (甲南大) ,  木下智恵 (甲南大) ,  梅津郁朗 (甲南大) ,  杉村陽 (甲南大)
資料名： 粉体粉末冶金協会講演概要集  (粉体粉末冶金協会大会講演概要集)
巻： 2003  号： 春季  ページ： 222  発行年： 2003年05月21日 
JST資料番号： F0815B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リチウム二次電池 ,...
準シソーラス用語： リチウムイオン蓄電池

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分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  Si薄膜 ,  リチウムイオン ,  挿入反応