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J-GLOBAL ID：200902293522963762   整理番号：09A0205124

GaAs薄膜中弱閉じ込め励起子のサブピコ秒光カー効果応答

著者 (14件)： 菅野敦史 (情報通信研究機構) ,  菅野敦史 (JST-CREST) ,  KATOUF R. (情報通信研究機構) ,  KATOUF R. (JST-CREST) ,  小島磨 (情報通信研究機構) ,  小島磨 (JST-CREST) ,  小島磨 (神戸大 大学院工学研究科) ,  早瀬(伊師)潤子 (情報通信研究機構) ,  早瀬(伊師)潤子 (JST-CREST) ,  土屋昌弘 (情報通信研究機構) ,  土屋昌弘 (JST-CREST) ,  井須俊郎 (情報通信研究機構) ,  井須俊郎 (JST-CREST) ,  井須俊郎 (徳島大 大学院ソシオテクノサイエンス研究部)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 18th  ページ： 191-194  発行年： 2007年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAs薄膜中に弱く閉じ込められた励起子の時間分解光Kerr効果の測定において,フェムト秒パルス励起時にサブピコ秒に達する超高速応答が認められた。励起子密度寿命14nsに比べ4桁以上速く,密度緩和と光Kerr効果の緩和過程の相異によるものと考えられる。光生成による励起子蓄積効果にも関わらず,高速な光Kerr効果応答速度の維持が確認された。2連続パルス入射時,特に800fsのパルス間隔において,時間プロファイルの変化が無いことから,新奇物理現象である弱閉じ込め励起子系を利用した全光スイッチの検討が可能になることが期待された。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  閉込め ,  *励起子 ,  *Kerr効果 ,  時間分解分光法 ,  *緩和現象 ,  ピコ秒 ,  光スイッチ ,  応答速度
準シソーラス用語： サブピコ秒

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  薄膜 ,  閉じ込め ,  励起子 ,  サブピコ秒 ,  光カー効果 ,  応答