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J-GLOBAL ID：200902293849708006   整理番号：05A0497668

Si(111)7×7表面上でのアクティブからパッシブ酸化への遷移

Transition from Active to Passive Oxidation on Si(111)7×7 Surface

著者 (3件)： 鈴木佳一 (大阪市大 大学院工学研究科) ,  福田常男 (大阪市大 大学院工学研究科) ,  中山弘 (大阪市大 大学院工学研究科)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 48  号： 5  ページ： 350-352  発行年： 2005年05月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高温のSi(111)7×7表面上の酸素の反応をSTMでその場...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： アクティブ酸化 ,...

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分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (5件)：

• 1) F. W. Smith and G. Ghidini: J. Electrochemi. Soc., 129 (1982) 1300.
• 2) A. A. Shklyaef and T. Suzuki: Phys. Rev. Lett., 75 (1995) 272.
• 3) S. Hildebrandt, A. Kraus, R. Kulla and H. Neddermeyer: Appl. Surf. Sci., 141 (1999) 294.
• 4) J. A. Venables: Phys. Rev., B56 (1987) 4153.
• 5) Ing-Shouh Hwang, Rong-Li Lo and Tien T. Tsong: Phys. Rev. Lett., 78 (1997) 4797.

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  パッシブ ,  酸化 ,  遷移