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J-GLOBAL ID：200902294423502318   整理番号：03A0621288

AlInAsおよび厚いAlInAsバッファ層をもつ高電子移動度トランジスタに及ぼす低酸素量有機金属前駆体の効果

Effects of Low-Oxygen-Content Metalorganic Precursors on AlInAs and High Electron Mobility Transistor Structures with the Thick AlInAs Buffer Layer

著者 (3件)： TANAKA T (Tosoh Corp., Kanagawa, JPN) ,  TOKUDOME K (Tosoh FineChem Corp., Yamaguchi, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 8B  ページ： L993-L995  発行年： 2003年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低酸素量有機金属前駆体が酸素濃度とHall移動度に及ぼす効果...

シソーラス用語： ヒ化物 ,...
準シソーラス用語： ひ化アルミニウムインジウム

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) M. S. Ravetz, L. M. Smith, S. A. Rushworth, A. B. Leese, R. Kanjolia, J. I. Davies and R. T. Blunt: J. Electron. Mater. 29 (2000) 156.
• 2) S. Naritsuka, T. Noda, A. Wagai, S. Fujita and Y. Ashizawa: J. Cryst. Growth 131 (1993) 186.
• 3) M. Kamada, H. Ishikawa, S. Miwa and G. E. Stillman: J. Appl. Phys. 73 (1993) 4004.
• 4) S. Goto, T. Ueda, T. Ohshima and H. Kakinuma: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 1048.
• 5) F. Ducroquet, G. Guillot, K. Hong, C. H. Hong, D. Pavlidis and M. Gauneau: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 325 (1994) 235.

タイトルに関連する用語 (6件)： AlInAs ,  バッファ層 ,  高電子移動度トランジスタ ,  低酸素 ,  有機金属 ,  前駆体